宽禁带材料简介:

宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料, 以l-V族材料, SiC等最为常见。随着电子电力的发展, 功率器件的使用越来越多, SiC,GaN等被广泛应用于射频, 超高压等领域, 为适应特高压输电, 电动汽车充电桩等超高压应用, 可以承受更高电压的超宽禁带半导体, 如金刚石, 氧化镣等的研究也在逐渐深入。宽禁带材料一直是研究方向的热点。在半导体材料的研究中, 电阻率, 载流子密度和迁移率是测试的关键参数。

测试难点:

1 . 宽禁带材料的带隙较大, 击穿电场较高。超禁带材料击穿电场更高。因此需要上千伏高压源表进行测试。

2.功率器件带隙较宽, 稳定性好, 受温度影响较小, 所以也是高流器件的制备材料。电流特性的测试, 需要用到几十安培的高流源表。

3.四线法及霍尔效应测试均是加流测压的过程, 需要设备能输出电流并且测试电压, 这意味着同时需要电流源和电压表。

4.电阻率及电子迁移率通常范围较大, 需要电流电压范围都很大的

设备。

电流源和电压表精度要高, 保证测试的准确性。

电阻率测试方法:

四探针测试法

测试载台: 四探针测试台

载流子浓度及迁移率测试方法:

霍尔效应测试法

测试载台: 磁场设备及探针台

中功率测试设备:

测试设备: 4200A-SCS, SMU模块+PA

高功率测试方案:

测试设备: 2600-PCT

可选: 200V/1 0A低压基本配置、200V/50A 高流配置、3000V/ 1 0A高压配置、3000V/ 50A高压高流等配置

泰克优势:

1 . 全面的静态/动态测试方案;

1.. 高压3kV, 高流1 00A高精度源表;

2.SMU模块集电压源/电压表/电流源/电流表于一体, 集成度高, 方便使用;

3.SMU均配有开尔文接口, 在测试小电阻时可有效消除线缆电阻的影响;

4.4200A设备电流输出精度40fA; 电流测试精度1 0fA; 电压测试精度80V;

5.带有pulse工作模式, 使用pulse测试可以消除自加热效应;

6.开放设备底层指令, 附带编译软件, 支持自编程;

7.提供高压高流测试夹具, 保证测试安全。

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